在（zài）了解5V单片机驱（qū）动mos管电（diàn）路之前，先了解一下单片机（jī）驱动mos管电路图及原（yuán）理，单片（piàn）机（jī）驱（qū）动mos管电路主要根（gēn）据MOS管要驱（qū）动（dòng）什么东（dōng）西，要只是一个（gè）继电（diàn）器之（zhī）类的小负载的话（huà）直接用51的引脚驱动就可（kě）以，要注意电感类负载要加保（bǎo）护二极管（guǎn）和吸（xī）收缓冲（chōng），最好用N沟（gōu）道的MOS。

如果驱动的东（dōng）西（xī）(功（gōng）率)很大，(大电流、大电压的场合)，最（zuì）好要（yào）做（zuò）电气隔离（lí）、过流超压保护、温度保护等……此时既要（yào）隔（gé）离传送控制信（xìn）号(例如PWM信号（hào）)，也要给驱（qū）动级(MOS管的（de）推（tuī）动电路（lù）)传送电能。常用的信（xìn）号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电能的（de）传（chuán）送可以用DC-DC模块。如果是做（zuò）产品的话建议（yì）自己搞一个建议的DC-DC，这样可以（yǐ）降（jiàng）低成本（běn）。然后MOS管（guǎn）有一种（zhǒng）简单（dān）的驱（qū）动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与（yǔ）PNP一个用于MOS开（kāi）启驱（qū）动，一个用于（yú）MOS快速关断。
图（tú）一：适（shì）合开关频率不（bú）高的场（chǎng）合，一般低于（yú）2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小由V+决定（dìng），V+越高，R2、R3越大，以保证电阻及三极管功耗在（zài）允许范（fàn）围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于（yú）40V。

补充：图二：适合高（gāo）频大功（gōng）率场合，到达100KHz没（méi）问题，同（tóng）时可以并联多个MOSFET-P管

R2、R3需要（yào）满（mǎn）足和图一一样的条件，其实就是图一加了级（jí）推挽（wǎn），这样就可以保证MOSFET管（guǎn）高（gāo）速（sù）开关，上面6P小电容是（shì）发射（shè）结结电容补偿电（diàn）容（róng），可以改善三极管高速（sù）开（kāi）关特性。

另外：MOSFET的栅极电容较（jiào）大，在使（shǐ）用的时候应该把它当成一（yī）个（gè）容抗负载来看。

MOS管驱动电路（lù）

在使用MOS管设计开关电源或者马达（dá）驱（qū）动电路的时候，大部分人都会（huì）考虑MOS的导通电阻，最（zuì）大电压等，最大（dà）电流等，也有（yǒu）很多（duō）人仅仅考虑这些因素（sù）。这样的电路也许（xǔ）是（shì）可（kě）以工作的，但并（bìng）不是优秀的，作为正（zhèng）式的产品（pǐn）设计也是不（bú）允许的。

MOS管（guǎn）导通特性

导通的（de）意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导（dǎo）通，适合用（yòng）于源（yuán）极接地（dì）时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可（kě）以了。PMOS的特（tè）性：Vgs小于一定的（de）值（zhí）就会导通，适合用（yòng）于源极接VCC时的（de）情况(高端驱（qū）动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高（gāo）端（duān）驱动，但（dàn）由（yóu）于导通电阻大（dà），价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常（cháng）还是使用（yòng）NMOS。

MOS开关管损失

MOS管（guǎn）驱动电路（lù）不管是NMOS还是PMOS，导通后（hòu）都有导通电阻存在（zài），这样电（diàn）流就会在这个（gè）电阻上消耗（hào）能量（liàng），这部（bù）分消耗的能量叫（jiào）做导通损耗。选择导通电阻小的（de）MOS管会（huì）减小（xiǎo）导通损耗。现在（zài）的小功（gōng）率MOS管导（dǎo）通电阻一般在几十毫欧左右，几（jǐ）毫欧的也有。

MOS在导（dǎo）通和截（jié）止的时（shí）候（hòu），一定不是在瞬间完成的（de）。MOS两端的电压（yā）有一个下降（jiàng）的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是（shì）电压和电流的乘积，叫做开关损（sǔn）失（shī）。通常开关（guān）损失比导通损失大（dà）得多，而且开关频率越快，损（sǔn）失也越大。

导通瞬间电压（yā）和电（diàn）流的（de）乘积很大，造成（chéng）的损（sǔn）失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导（dǎo）通时的损失;降低开关频率，可以减小（xiǎo）单位时间内的开关次数。这两种办法都可以（yǐ）减小开（kāi）关损失。

MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般（bān）认为（wéi）使MOS管导通不（bú）需要电（diàn）流，只要GS电压高于一（yī）定的值（zhí），就可（kě）以了。这个很容易做到，但是，我们还（hái）需要（yào）速度。在MOS管的结（jié）构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容（róng），而MOS管的驱动，实际（jì）上就是对（duì）电容（róng）的充放电。对电容的充电（diàn）需要一个电流，因为对电容充电瞬间可（kě）以把电（diàn）容看成（chéng）短路，所以瞬间电流（liú）会比（bǐ）较大（dà）。选择/设计MOS管驱动时（shí）第一（yī）要注（zhù）意的是可提供（gòng）瞬（shùn）间短路电流的大小。

MOS管驱动电路第（dì）二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导（dǎo）通时需要是栅极电压（yā）大于源极（jí）电压。而高（gāo）端驱动的（de）MOS管导通时（shí）源极电压与漏极（jí）电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同（tóng）一个系统里，要（yào）得到比VCC大的（de）电压，就要专门的升（shēng）压电路（lù）了。很多马达驱动器（qì）都集成了电荷泵（bèng），要注意的是（shì）应（yīng）该 选择合适的（de）外接电（diàn）容，以得到（dào）足够的短路电流去驱动MOS管（guǎn）。

上（shàng）边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计（jì）时（shí）当然需要有一（yī）定的余量。而且电压（yā）越高，导通速度越快，导通电阻（zǔ）也越小。现在也（yě）有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很详细，所以（yǐ）不打算多写了。

MOS管（guǎn）应用电路

MOS管最显著的特性是开（kāi）关特性好，所以被广泛应用（yòng）在（zài）需要（yào）电子开关的电路中，常见的如（rú）开（kāi）关电源（yuán）和马达驱动，也有照明（míng）调光。

二（èr）、现在的MOS驱动，有几（jǐ）个特别（bié）的（de）应用（yòng）：

1、低压应用当使用5V电源，由于三极管的be有0.7V左右的压（yā）降，导（dǎo）致实际（jì）最终加（jiā）在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存（cún）在一定的风险。同（tóng）样（yàng）的问题也（yě）发（fā）生在（zài）使用3V或者其他低压电（diàn）源（yuán）的场合。

2、宽电压应用输入电压并不是一个固（gù）定值（zhí），它会随着时间（jiān）或者其他因（yīn）素（sù）而变（biàn）动（dòng）。这个变动（dòng）导致PWM电（diàn）路提供给（gěi）MOS管的驱动电（diàn）压是不稳（wěn）定的。为了让（ràng）MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行（háng）限制gate电压的幅（fú）值。在这种（zhǒng）情况下，当提供的驱动（dòng）电压超过稳压（yā）管的电压，就会引起较大的静态功耗（hào）。同时，如果简单的用电阻分压的（de）原理降低gate电压，就会出现输（shū）入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输（shū）入电压降低的时候gate电（diàn）压不（bú）足，引起导通不够彻底，从（cóng）而增加功耗（hào）。

3、双电（diàn）压应（yīng）用（yòng）在一些（xiē）控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字（zì）电（diàn）压（yā），而（ér）功率部（bù）分使用12V甚至（zhì）更高的电压。两个电压采（cǎi）用共地方式连接（jiē）。MOS管驱动电路。这就提出一个要（yào）求，需要（yào）使用一个电路，让低（dī）压（yā）侧能够（gòu）有效的控制高压侧的MOS管（guǎn），同时高压侧的MOS管也同样（yàng）会面对1和2中提到的问题。